GaP Wafers semi-aislados P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Rojo Emisión de luz verde

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Descripción:

El fosfuro de galio es un material semiconductor de uso común, que tiene las características de alta conductividad y alta eficiencia de conversión fotoeléctrica.El fosfuro de galio se puede utilizar en la fabricación de células solaresEl fosfuro de galio (GaP) es un importante material fotónico que se ha utilizado durante mucho tiempo como material activo en diodos emisores de luz verde.El GaP es una banda ancha indirecta (2.26 eV) semiconductor con un alto índice de refracción (n> 3) y no lineal de tercer orden, y transparente en el rango de longitudes de onda de 450 nm a 11 μm.como cristal no centrosimétrico con un elevado coeficiente piezoeléctrico no lineal y de segundo orden, es muy adecuado para futuras aplicaciones fotónicas integradas en bandas visibles, infrarrojas cercanas, telecomunicaciones e infrarrojas medias.

Características:
El fosfuro de galio GaP, un semiconductor importante de propiedades eléctricas únicas como otros materiales compuestos III-V, cristaliza en la estructura cúbica ZB termodinámicamente estable,es un material cristalino semitransparente de color naranja-amarillo con una banda indirecta de 2.26 eV (300K), que se sintetiza a partir de 6N 7N de alta pureza de galio y fósforo, y se cultiva en cristal único mediante la técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Los cristales de fosfuro de galio se dopan con azufre o telurio para obtener semiconductores de tipo n, y zinc dopado como conductividad de tipo p para su posterior fabricación en la oblea deseada, que tiene aplicaciones en sistemas ópticos, dispositivos electrónicos y otros dispositivos optoelectrónicos.Single Crystal GaP oblea se puede preparar Epi-Listo para su LPEAplicación epitaxial de MOCVD y MBE.La conductividad de tipo n o sin dopado en Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer en tamaño 2′′ y 3′′ (50mm), 75 mm de diámetro), orientación < 100>, < 111> con acabado superficial de proceso cortado, pulido o preparado para epi.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

Dispositivos de iluminación LED: GaP sirve como material LED utilizado en dispositivos de iluminación y visualización. 

Células solares: utilizadas en la fabricación de paneles solares para convertir la energía solar en energía eléctrica. 

Instrumentos analíticos espectral: se utilizan en laboratorios e investigaciones científicas para el análisis espectral óptico.

Amplificadores de semiconductores: se aplican en amplificadores y circuitos integrados para aplicaciones de RF y microondas.

Fotodetectores: se utilizan en sensores ópticos y detectores para mediciones ópticas y aplicaciones de detección.

Dispositivos de RF de microondas: se aplican en circuitos de alta frecuencia y microondas como componentes de alto rendimiento.

Dispositivos electrónicos de alta temperatura: Se utilizan en dispositivos electrónicos que operan en entornos de alta temperatura.

Dispositivos electrónicos de alta frecuencia: se emplean en sistemas electrónicos de alta frecuencia, como los amplificadores de potencia de RF.

Otros productos:

Wafer de GaN:

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es el nombre de la marca delWaferas semi-aisladas GaP?

A: La marca del productoWaferas semi-aisladas GaPes ZMSH.

P: ¿Cuál es la certificación delWaferas semi-aisladas GaP?

A: La certificación de losWaferas semi-aisladas GaPes ROHS.

P: ¿Cuál es el lugar de origen de laWaferas semi-aisladas GaP?

A: El lugar de origen de laWaferas semi-aisladas GaPes China.

P: ¿Cuál es el MOQ de laWafers semi-aislados de GaP a la vez?

R: El MOQ de laWaferas semi-aisladas GaPes 25 piezas a la vez.