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Substrato de SiC de alta temperatura y alta electrónica Aplicaciones Substrato de oblea epitaxial
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Substrato de SiC de alta temperatura y alta electrónica Aplicaciones Substrato de oblea epitaxial

Lugar de origen China.
Nombre de la marca ZMSH
Certificación rohs
Número de modelo Sustrato de SiC
Detalles del producto
Superficie:
CMP de cara de Si; cara C Mp;
Conductividad térmica:
4,9 W/mK
tamaño:
Personalizado
dopante:
No incluido
Tensión de ruptura:
5,5 milivoltios/cm
Densidad:
3.21 G/cm3
Fuerza de compresión:
>1000MPa
Dureza de la superficie:
HV0.3>2500
Descripción de producto

Substrato de SiC de alta temperatura y alta electrónica Aplicaciones Substrato de oblea epitaxial

Descripción del producto:

El sustrato de SiC también tiene una rugosidad superficial de Ra < 0,5 nm, que es esencial para aplicaciones que requieren una alta precisión.incluida la electrónicaEl sustrato tiene una resistencia a la tracción de > 400 MPa, lo que lo hace muy duradero y capaz de soportar altos niveles de tensión.

El sustrato de SiC tiene una densidad de 3,21 G/cm3, lo que es ideal para aplicaciones que requieren un material ligero.El sustrato también está disponible en placas sic en forma personalizada, por lo que es adecuado para diversas aplicaciones.

En resumen, el sustrato SiC es un producto de alta calidad que ofrece una excelente conductividad térmica, dureza superficial y resistencia a la tracción.Su peso ligero y personalizabilidad lo hacen ideal para diversas aplicaciones en diferentes industrias.

 

Características:

  • Nombre del producto: Substrato de SiC
  • Superficie: CMP de la cara Si; Mp de la cara C.
  • Roughness de la superficie: Ra < 0,5 nm
  • Densidad: 3,21 G/cm3
  • Dureza de la superficie: HV0,3> 2500
  • Constante dieléctrica: 9.7
 

Aplicaciones:

El material de sustrato de SiC tiene un coeficiente de expansión térmica de 4.5 X 10-6 / K y es un tipo de sustrato de alto rendimiento.El material utilizado es el monocristalino de SiC, que es un material de alta calidad que es conocido por su durabilidad y resistencia.

Estas obleas de carburo de silicio son ideales para una variedad de aplicaciones, incluyendo dispositivos electrónicos, iluminación LED y electrónica de potencia.cuando se utilice como herramienta de corte para el corte de precisión de materialesEl sustrato se puede personalizar para adaptarse a formas y tamaños específicos, por lo que es un producto versátil para una variedad de industrias.

Si necesita placas sic de forma personalizada, ZMSH SIC010 es la solución perfecta.Si necesita una cantidad pequeña o grande, ZMSH SIC010 puede proporcionarle el producto que necesita a un precio competitivo.

 

Personalización:

Servicios de personalización de productos de sustrato de ZMSH SIC:

  • Nombre de marca: ZMSH
  • Número de modelo: SIC010
  • Lugar de origen: CHINA
  • Certificación: ROHS
  • Cantidad mínima de pedido: 10pc.
  • Precio: por caso
  • Detalles del embalaje: caja de plástico personalizada
  • Tiempo de entrega: 2-4 semanas
  • Términos de pago: T/T
  • Capacidad de suministro: 1000 pcs/mes
  • Superficie: CMP de la cara Si; Mp de la cara C.
  • Tamaños disponibles: 0,5x0,5 mm; 1x1 mm; 5x5 mm; 10x10 mm
  • Resistencia a la compresión: > 1000 MPa
  • Resistencia a la tracción: > 400 MPa
  • Densidad: 3,21 G/cm3

Ofrecemos wafer SiC de tamaño personalizado y servicios de corte por láser SiC. Nuestras wafers de carburo de silicio son de alta calidad y cumplen con los estándares de la industria.

 

Embalaje y envío:

Embalaje del producto:

El producto de sustrato de SiC se empaquetará de forma segura en un recipiente de plástico duro para evitar cualquier daño durante el envío.y las instrucciones de manejo necesarias.

Envío:

El producto de sustrato de SiC se enviará a través de un transportista de confianza, como UPS o FedEx, para garantizar una entrega segura y oportuna.Los gastos de envío se calcularán en función del destino y el peso del paqueteLos clientes pueden rastrear sus pedidos usando el número de seguimiento proporcionado.

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86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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