tipo oblea de 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio de GE con EPD bajo

tipo oblea de 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio de GE con EPD bajo

Oblea de GE

El germanio es el material para hacer los dispositivos de semiconductor y los dispositivos ópticos infrarrojos. Desempeña un papel importante en el desarrollo de la física de estado sólido y de la electrónica de estado sólido. El germanio tiene una densidad de fusión de los 5.32g/cm 3, el germanio se puede clasificar como metal dispersado fino, estabilidad química del germanio, no obra recíprocamente con el vapor del aire o de agua en la temperatura ambiente, pero en el ℃ 600~700, el dióxido del germanio se genera rápidamente. No trabaja con el ácido hidroclórico, ácido sulfúrico diluído. Cuando se calienta el ácido sulfúrico concentrado, el germanio disolverá lentamente. En ácido nítrico y aqua regia, el germanio se disuelve fácilmente. El efecto de la solución alcalina sobre el germanio es muy débil, pero el álcali fundido en aire puede hacer que el germanio disuelve rápidamente. El germanio no trabaja con el carbono, así que se derrite en un crisol del grafito y no será contaminado por el carbono. El germanio tiene buenas propiedades del semiconductor, tales como movilidad de electrón, movilidad de agujero y así sucesivamente. El desarrollo del germanio todavía tiene gran potencial.

Especificación

Exhibición del producto

Método del crecimiento

El método del crecimiento de substrato del germanio comprende los pasos siguientes: proporcionando un substrato favorable, el substrato favorable es un material cristalino; La capa cristalina del primer germanio es crecida por la primera epitaxia de la temperatura en la superficie del substrato favorable. La capa cristalina del segundo germanio es crecida por la segunda epitaxia de la temperatura en la superficie de la capa cristalina del primer germanio, y la primera temperatura es más baja que la segunda temperatura. Las ventajas de la actual invención son proponer una clase de proceso de crecimiento epitaxial del germanio de la baja temperatura, en primer lugar, una capa de capa del germanio, germanio del crecimiento de la baja temperatura que la tasa de crecimiento epitaxial es baja, las características bidimensionales de un crecimiento y relajación completa, esta capa delgada de la capa del germanio en la baja temperatura tienen muchos defectos, tensión propensa relajada y la aniquilación de la dislocación, posteriormente, después una capa de capa epitaxial del germanio de alta temperatura del crecimiento, de la velocidad del crecimiento de la capa, de la sola capa cristalina del germanio con la alta masa cristalina y de relajación completa pueden ser obtenidas.