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Oblea del fosfuro de indio
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| Lugar de origen | China. |
| Nombre de la marca | ZMSH |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | Envases y empapados |
Descripción:
1El antimonuro de indio es un material semiconductor de banda directa que pertenece al espectro infrarrojo.
2El antimonuro de indio (InSb) es un material semiconductor compuesto compuesto por indio (In) y antimonio (Sb).
3El antimonuro de indio también tiene una alta movilidad del portador y características de bajo ruido en la electrónica de alta velocidad y los amplificadores de bajo ruido.
4Su fórmula química es InSb. El antimonuro de indio es un importante material semiconductor con propiedades electrónicas y ópticas especiales.
Por lo tanto, tiene una amplia gama de aplicaciones en el campo de la optoelectrónica y la electrónica.
5Además, el antimonuro de indio también se puede utilizar en dispositivos de efecto cuántico, como estructuras de pozos cuánticos y dispositivos de puntos cuánticos.
Debido a sus excelentes propiedades cuánticas, como los efectos de limitación cuántica y las propiedades de afinación cuántica.
1Respuesta rápida: El detector InSb tiene un tiempo de respuesta rápido y puede capturar los cambios en las señales de radiación infrarroja en tiempo real.
2Bajo ruido: Los materiales InSb tienen bajos niveles de ruido, lo que puede proporcionar imágenes infrarrojas claras e información espectral precisa.
3Alta sensibilidad: El material InSb tiene una alta sensibilidad en la banda infrarroja media, que puede detectar y convertir eficazmente la radiación infrarroja.
4Funcionamiento a baja temperatura: Los detectores InSb suelen necesitar trabajar a temperaturas más bajas, por lo general por debajo de 77 K (temperatura del nitrógeno líquido)
5- Amplio rango de banda: los materiales InSb tienen un amplio rango de inducción de radiación infrarroja,que puede cubrir la banda infrarroja media (generalmente de 2 a 5 micras) y parte de la banda infrarroja de onda larga (hasta unos 10 micras).
Parámetros técnicos:
| Cristales únicos | EnSb |
| Diámetro | 2 ′′ 3 ′′ ((+/- 0,3 mm) |
| El grosor | 500/600 ((+/-25um) |
| Agentes de superación | No hay |
| Tipo de conducción | No |
| Concentración del portador ((cm-3) | 3E15 |
| Densidad de dislocación ((cm-2) | El valor de las pérdidas |
| Constante de red | 0.648nm |
| Peso molecular | 236.58 |
| Punto de fusión | 527°C |
| densidad | 50,78 g/cm3 |
| La brecha de banda | 0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Aplicaciones:
| Imágenes infrarrojas | Los materiales de cristal InSb se utilizan ampliamente en imágenes infrarrojas. |
| Dispositivo electrónico de alta velocidad | debido a su alta movilidad de portador y baja calidad electrónica, pueden utilizarse para fabricar dispositivos electrónicos de alta velocidad. |
| Espectrómetros y ópticas | Los materiales de cristal InSb se utilizan ampliamente en la fabricación de infrarrojos detectores de radiación. |
| Análisis espectral | Los materiales de cristal InSb pueden utilizarse para el análisis espectral infrarrojo debido a su transparencia y alta sensibilidad en la banda infrarroja. |
| Dispositivo de pozo cuántico | Utilizando la estructura de pozo cuántico del chip InSb, se puede fabricar una serie de dispositivos de pozo cuántico |
| Detección de radiación | Los materiales de cristal InSb se utilizan ampliamente en la fabricación de infrarrojos detectores de radiación. |
| Material termoeléctrico | Los chips InSb son capaces de convertir la energía térmica en electricidad para aplicaciones, como la generación de energía termoeléctrica y la medición de temperatura. |
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Preguntas frecuentes:
P: ¿Qué es la certificación deTe-InSb?
A: La certificación deTe-InSbes ROHS.
P: ¿Cuál es el nombre de marca deTe-InSb?
A: El nombre de marca deTe-InSbes ZMSH.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deTe-InSb?
A: El lugar de origen deTe-InSbes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deTe-InSb a la vez?
R: El MOQ deTe-InSbes 25 piezas a la vez.
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